La memoria de cambio de fase (PCM) es una forma de memoria de acceso aleatorio (RAM) de computadora que almacena datos al alterar el estado de la materia a partir de la cual se fabrica el dispositivo. Según sus defensores, la tecnología PCM tiene el potencial de proporcionar almacenamiento no volátil económico, de alta velocidad, alta densidad y gran volumen a una escala sin precedentes.
Debido a que tiene una velocidad mucho más cercana a la RAM dinámica (DRAM), la tecnología de memoria de cambio de fase es ideal tanto para módulos de memoria dual en línea no volátiles (NVDIMM) como para unidades de estado sólido (SSD) de memoria no volátil express (NVMe). Aparte de su ventaja de velocidad, la tecnología de memoria de cambio de fase también es mucho más duradera que la flash, y cualquier preocupación sobre la cantidad de escrituras diarias que causan desgaste no es un problema. A veces, PCM se denomina "RAM perfecta" (PRAM) porque los datos se pueden sobrescribir sin tener que borrarlos primero.
La estructura del material PCM puede cambiar rápidamente entre amorfo y cristalino a escala microscópica. En la fase amorfa o desordenada, el material tiene una alta resistencia eléctrica; en la fase cristalina u ordenada, su resistencia se reduce. Esto permite que las corrientes eléctricas se enciendan y apaguen, representando estados digitales altos y bajos. Debido a que la estructura física es tridimensional, se puede maximizar la cantidad de transistores que pueden existir en un chip de tamaño fijo, lo que hace posible que el PCM funcione muchas veces más rápido que la memoria flash convencional, utilizando menos energía.